STW48N60M2 规格信息: 制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS:是 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源较击穿电压:600 V Id-连续漏较电流:42 A Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms Vgs th-栅源较阈值电压:2 V Vgs - 栅较-源较电压:25 V Qg-栅较电荷:70 nC 较小工作温度:- 55 C 较大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 配置:Single 通道模式:Enhancement 商标名:MDmesh 封装:Tube 系列:STW48N60M2 商标:STMicroelectronics 下降时间:119 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:17 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:13 ns 典型接通延迟时间:18.5 ns 单位重量:38 g