供应原装正品 STP24N60DM2 封装TO-220 600V24A MOS场效应管

描述
       这些FDmeshII+™低Qg功率MOSFETs与固有的快速恢复体二极管生产使用新一代的MDmesh™技术：MDmeshII+™低Qg。这些革命性的电力模块将垂直结构与公司的带布局联系在一起，产生世界上较低电阻和门电荷之一。因此，它们适用于要求较高的高效转换器，以及理想的桥接拓扑和ZVS相移转换器。

n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+™低Qg功率MOSFETs在D2PAK，TO-220和TO-247软件包

•较低的栅较电荷和输入

电容

•与上一代相比，RDS（on）x区域更低

•低栅较输入电阻

•**雪崩测试

•齐纳保护

•较高的dv/dt和雪崩

能力

应用

•交换应用