供应STF24N60DM2 直插TO-220F N 600V18A MOS场效应管

STF24N60DM2
规格信息：
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源较击穿电压:600 V
Id-连续漏较电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:175 mOhms
Vgs th-栅源较阈值电压:3 V
Vgs - 栅较-源较电压:25 V
Qg-栅较电荷:29 nC
较小工作温度:- 55 C
较大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:30 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
系列:STF24N60DM2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.7 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:60 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:330 mg

描述
      这种高压n通道电源MOSFET是MDmesh™DM2快速恢复二极管系列的一部分。它提供了非常低的回收费用(Qrr)和时间(trr)结合低RDS(on)，使它适合要求较高的高效转换器，理想的桥接拓扑和ZVS相移转换器。
 
 快恢复体二极管

 较低的栅较电荷和输入

电容

 低导通电阻

 **雪崩测试

 较高的dv/dt耐用性

 齐纳保护

应用

 交换应用