STM32L431xx设备是基于高性能ARM®Cortex®-M432位RISC核心的**低功率微控制器,工作频率高达80MHz。Cortex-M4核心具有一个浮点单元(FPU)单精度,它支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),提高应用程序安全性。 STM32L431xx设备嵌入高速内存(闪存256千字节,64千字节的SRAM),四SPI闪存接口(可在所有包)和广泛的增强I/o和外设连接到两个APB总线,两个AHB总线和32位multi-AHB总线矩阵。 STM32L431xx设备嵌入了几种嵌入式闪存和SRAM的保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。 该设备提供一个快速的12位ADC(5Msps)、两个比较器、一个操作放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功率RTC、一个通用32位定时器、一个专门用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。 此外,较多可使用21个电容感应通道。 它们还具有标准和高级通信接口。 •三个I2C •三个SPI •三个USART和一个低功耗UART。 •一个SAI(串行音频接口) •一个SDMMC •一罐 •一个SWPMI(单线协议主接口) STM32L431xx在-40至+85°C(+105°C接头)、-40至+105°C(+125°C接头)和-40至+125°C(+130°C接头)的温度范围为1.71至3.6V电源。一套全面的节能模式允许设计低功耗的应用程序。 支持一些独立的电源:ADC、DAC、opamp和比较器的模拟独立的电源输入。VBAT输入允许备份RTC和备份寄存器。 STM32L431xx系列提供9个包从32到100针包 特征 •采用FlexPowerControl的**低功耗 –1.71 V至3.6 V电源 –-40°C至85/105/125°C温度范围 -VBAT模式下为200 nA:RTC和32x32位备份寄存器 –8 nA关闭模式(5个唤醒引脚) –28 nA待机模式(5个唤醒引脚) –280 nA待机模式,带RTC –1.0µA停止2模式,1.28µA停止2模式RTC –84µA/MHz运行模式 –批量采集模式(BAM) –4微秒从停止模式唤醒 –所有模式下的棕色输出重置(BOR),除了关闭 –互连矩阵 •核心:ARM®32位Cortex®-带FPU的M4 CPU, 自适应实时加速器(ART) 加速器™) 允许0等待状态执行 来自闪存,频率高达80 MHz, MPU,100DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)和DSP指令 •业绩基准 –1.25 DMIPS/MHz(干石2.1) –273.55 Coremark®(3.42 Coremark/MHz@ 80兆赫) •能源基准 –176.7 ULPBench®分数 •时钟源 –4至48 MHz晶体振荡器 –用于RTC(LSE)的32 kHz晶体振荡器 –内部16MHz工厂微调RC(±1%) –内部低功率32 kHz RC(±5%) –内部多速100 kHz至48 MHz 振荡器,由LSE自动调整(优于±0.25%精度) –带时钟恢复的内部48 MHz –2个用于系统时钟、音频、ADC的PLL •带硬件日历、警报和校准的RTC •多达21个电容感应通道:支持 触摸键、线性和旋转式触摸传感器 •11个定时器:1个16位高级电机控制, 1x 32位和2x 16位通用型,2x 16- 位基本,2个低功耗16位定时器(可用 在停止模式下),2个看门狗,SysTick定时器 •高达83个快速I/O,较多5 V容限 •记忆 –高达256 KB的单排闪存, 专有代码读出保护 –64 KB的SRAM,包括16 KB的 硬件奇偶校验 –四SPI内存接口 •丰富的模拟外围设备(独立电源) –1×12位ADC 5 Msps,较多16位,带 硬件过采样,200µA/Msps –2个12位DAC,低功耗采样保持 –内置PGA的1x运算放大器 –2个**低功耗比较器 •15个通信接口 –1x SAI(串行音频接口) –3倍I2C FM+(1 Mbit/s),SMBus/PMBus –4倍USART(ISO 7816、LIN、IrDA、调制解调器) –3个SPI(4个SPI和四个SPI) –CAN(2.0B激活)和SDMMC接口 –SWPMI单线协议主I/F –IRTIM(红外接口) •14通道DMA控制器 •真随机数发生器 •CRC计算单元,96位一ID