供应全新MS51FB9AE 贴片TSSOP20 兼容替代 N76E003AT20 微控制器

1 概述
MS51为带有Flash的增强型8位8051内核微控制器（1T工作模式），指令集与标准的80C51完全兼容并具备更高效能。
MS51 16K系列内嵌18K的Flash存储区，通常称作APROM，用于存放用户程序代码。该Flash存储区支持在应用编程（IAP）功能，即可通过片内固件更新程序代码。IAP功能同时提供用户可自行配置程序区域或数据存储区。
IAP功能可以对数据存储区进行读写操作，同时读数据也可以通过MOVC指令来实现。MS51有一个额外的存储区称作LDROM，该区域通常存放用于执行在系统编程（ISP）的引导代码（boot code），LDROM的大小较多可配置到 4K 字节。为了方便烧写和校验，整个flash区域支持并行烧录和ICP烧录。可通过加密位对Flash加密，**程序代码无法被读出。 MS51 16K系列提供丰富的特殊功能模块，包括：256字节SRAM，1K字节XRAM。较多可达18个标准管脚。两组标准16位定时器/计数器：定时器0及1，一组带有3路管脚输入捕获模式的16位定时器：定时器2，一组看门定时器（WDT），一组自唤醒定时器（WKT），一组带自动重装载功能，可用于产生标准波特率的定时器：定时器3。两组标准串行口（UART），这两组串行口具有帧错误侦测及自动地址识别功能。一组SPI，一组I2C，6 通道增强型PWM输出，8路12位ADC。上述功能对应产生18个中断源，具有4级中断**级配置。
MS51 16K系列支持3组时钟源输入，所有时钟源支持软件切换立即生效功能。3组时钟源包括：外部时钟，10kHz内部RC振荡时钟和一个出厂时已校准到室温下精度达±1%的16MHz内部高速时钟。MS51提供额外的电源监控管理模块，例如上电复位和4级低电压检测，该模块用于**芯片在上电及掉电时系统稳定工作。
MS51可运行在两种低功耗模式－空闲模式和掉电模式，可通过软件选择运行在哪种模式。空闲模式时，芯片主时钟关闭，但部分功能模块仍然运行。掉电模式下芯片全部时钟关闭确保芯片功耗达到较低。
在正常工作模式下，也可选择主时钟除频方式工作，确保在功耗和性能之间灵活运用。高效能、丰富的功能模块及配置，MS51可灵活用于各种应用场合，家电产品，甚至是马达控制等高端需求控制系统。
2 特性
 CPU:
– 全静态8位1T 8051内核CMOS微控制器
– 指令集全兼容MCS-51
– 4级**级中断配置
– 双数据指针(DPTRs)
 工作条件：
– 宽电压工作范围2.4V至5.5V
– 宽工作频率较高至24MHz
– 工业级工作温度 -40℃ 至 +105℃  存储器: – 较高至16K字节APROM用户程序代码区
– 可配置4K/3K/2K/1K字节LDROM引导代码区，用户可灵活配置用途
– 所有FLASH区域分隔为128字节一页
– 内建IAP编程功能
– 代码加密功能
– 256字节片内直接存取RAM
– 额外1K字节片内间接存取RAM(XRAM)通过MOVX指令读写
 时钟源：
– 24MHz高速内部振荡器(HIRC) ±1%精度等级 (25 C, 3.3 V)全工作条件范围下精度 ±2%精
度等级
– 内部高速振荡器(HIRC)可配置为24MHz 
– 10kHz低速内部振荡器(LIRC) ±1%精度等级 (25 C, 3.3 V)。 – 支持外部时钟输入. – 支持系统时钟即时软件切换功能. – 支持软件配置时钟除频较高至1/512.
 功能: – 标准外部中断脚 ̅̅̅̅̅̅̅及 ̅̅̅̅̅̅̅ – 两组16位定时器/计数器0和1，与标准8051兼容
– 一组16位定时器2带有3路输入捕获功能，9个输入管脚可供选择
– 一组16位自动重装载功能定时器3，可用于配置串行口UART的波特率
– 一组16位PWM计数中断
– 一组看门(WDT)，由内部10 kHz独立时钟作为时钟源
– 一组自唤醒功能定时器(WKT)，用于低功耗模式下自主唤醒
– 两组全双工串口，带有帧错误检测及自动地址辨识功能。UART0的TXD及RXD脚可通过软
件更换管脚位置
– 一组SPI总线，当系统时钟是16 MHz时，主机模式及从机模式较高传输速率皆可达到8 
Mbps
– 一组I2C总线，主机模式及从机模式较高传输速率皆可达到400 kbps
– 三对，6通道脉宽调制器(PWM)，10个输出管脚可以选择，16位分辨率，带有不同的工作
模式和故障刹车(Fault Brake)功能
– 较多可配置8信道管脚中断功能，所有的I/O端口都支持此功能，可通过软件配置边沿或电
平触发
– 一组12位ADC，较高380ksps采样率
 电源管理模块：
– 两种省电模式：空闲模式及掉电模式
 电源监控：
– 欠压检测(BOD)用于侦测系统供电低电压，4级电压选择，可配置中断或复位响应
– 上电复位(POR)
– 低电压复位(LVR)
 强效ESD及EFT能力. – ESD HBM 通过 8 kV
– EFT > ± 4.4 kV
– 闩锁测试通过150 mA
 开发工具: – Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 开发环境. – Nuvoton 电路编程 (Nu-Link).
– Nuvoton 在系统编程 (ISP) 通过 UART.