供应 FDV301N 丝印301 SOT-23 N沟道 25V/220mA 贴片MOSFET 全新原装

 一般说明
       这种n通道逻辑级增强模式场效应晶体管是使用仙童的专有的，高电池密度，DMOS技术生产的。这种非常高密度的过程是特别适合于较小化状态电阻。该装置已被特别设计用于低压应用，作为数字晶体管的替代品。由于不需要偏置电阻，这种n通道场效应晶体管可以用不同的偏置电阻值代替几个不同的数字晶体管。
      
特征
      25V，0.22A连续，0.5A峰值。
      RDS(ON)=5W@VGS=2.7V
      RDS(ON)=4W@VGS=4.5V.
 较低水平的门驱动要求，允许在3V电路中直接运行。VGS(th)<1.06V.
门源齐纳为ESD坚固性。>6.kV人体模型
用一个DMOS场效应晶体管替换多个NPN数字晶体管。